咨询热线
高性价比4.8W双组输出IGBT驱动电源——QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列
- 分类：产品动态
- 作者：
- 来源：
- 发布时间：2022-10-19 16:03
- 访问量：0
【概要描述】为打造更具有高性价比的驱动电源，金升阳基于自主IC设计平台升级开发出内部采用非对称式电压输出形式的QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列产品，以期为客户提供更优质的电源解决方案。
高性价比4.8W双组输出IGBT驱动电源——QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列
【概要描述】为打造更具有高性价比的驱动电源，金升阳基于自主IC设计平台升级开发出内部采用非对称式电压输出形式的QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列产品，以期为客户提供更优质的电源解决方案。
- 分类：产品动态
- 发布时间：2022-10-19 16:03
详情
一、产品介绍
随着新能源行业的发展，IGBT /SiC MOSFET作为充电桩设备、光伏SVG系统中的关键半导体器件组成部分，市场对其应用条件和性能提出更高的要求，对于驱动方案的要求也随之提高。日前，金升阳推出了IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源QA-R3/QA_C-R3系列产品，以及满足更加严苛的应用需求的驱动电源QA_H-R3/QA_HC-R3系列产品。
为打造更具有高性价比的驱动电源，金升阳基于自主IC设计平台升级开发出内部采用非对称式电压输出形式的QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列产品，以期为客户提供更优质的电源解决方案。
二、产品优势
①5000VAC高可靠隔离电压,满足加强绝缘
基于自主IC设计平台，此系列产品能提供两组隔离输出电压，输出1-输出2隔离电压高达3750VAC，同时输入-输出隔离电压高达5000VAC，远优于市场上常规产品，且满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。
②满足1700VDC长期绝缘要求(使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET)
QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列驱动电源基于IEC-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压(持续放电)满足1700V，且应用范围覆盖1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件，产品原副边电气间隙/爬电距离达22.36mm(typ.)。
③性能更优
<1>支持双组驱动，满足半桥式整流应用
<2>低低纹&波噪声：50mVpp
<3>强带载能力：2200uF
<4>超小隔离电容：4.2pF
<5>高效率：85%
④高性价比
此系列是专门为IGBT/SIC MOSFET驱动器而设计的DC-DC模块电源，其内部采用了非对称式电压输出形式，尽可能减小IGBT/SIC MOSFET的驱动损耗。且双组输出QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列的成本低于2个单组输出产品合价。
三、产品应用
作为IGBT/SiC MOSFET专用驱动电源，可用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩等多种场合中IGBT/SiC MOSFET器件的驱动，以光伏SVG系统为例，可配合驱动芯片来共同驱动后端的IGBT器件，实现系统的有效运行。
四、产品特点
● 隔离电压5000VAC(加强绝缘)
● 局部放电 1700V
● CMTI>200kV/μs
● 最大容性负载2200μF
● 超小隔离电容4.2pF(typ.)
● 效率高达85%
● 工作温度范围: -40℃ to +105℃
五、产品布局
扫二维码用手机看
本站涵盖的内容、图片、视频等数据，部分未能与原创作者取得联系，若涉及版权问题，请及时联系我们，我们将修改或删除。
