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IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA-(T)-R3G系列

  • 分类:产品动态
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  • 发布时间:2023-11-27 14:32
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【概要描述】基于国内外新能源行业发展态势,半导体应用市场持续扩大;对于新能源充电桩、光伏SVG行业,IGBT/SiC MOSFET的应用广泛,而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源,市场潜力巨大。

IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA-(T)-R3G系列

【概要描述】基于国内外新能源行业发展态势,半导体应用市场持续扩大;对于新能源充电桩、光伏SVG行业,IGBT/SiC MOSFET的应用广泛,而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源,市场潜力巨大。

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  一、产品介绍

  基于国内外新能源行业发展态势,半导体应用市场持续扩大;对于新能源充电桩、光伏SVG行业,IGBT/SiC MOSFET的应用广泛,而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源,市场潜力巨大。

  金升阳致力于为客户提供更优质的电源解决方案,基于自主电路平台、IC平台、工艺平台,升级推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源QA-R3G/QAC-R3G系列产品,同时为结合充电桩市场应用需求,打造了全新的满足元器件100%国产化、高可靠的R3代驱动电源产品。

  二、产品优势

  1、优势特点

  ①高可靠隔离电压:5000VAC(加强绝缘)

  R3代驱动电源产品基于自主IC设计平台,在可靠性上相较于R1代和竞品有了极大的提升,隔离电压高达5000VAC(R1产品/竞品为3750VAC),满足加强绝缘设计要求,整体可靠性得到极大提升。

  ②满足1700VDC长期绝缘要求

  作为现阶段主流的半导体器件,应用电压为650V/900V/1200V/1700V;R3代驱动电源基于IEC-61800-5-1标准要求,实现长期绝缘电压(持续放电)满足1700V,应用范围覆盖1700V及以下的IGBT器件。

  ③元器件100%国产化,多项性能指标提升

  R3代驱动电源相较于R1代产品,在整体性能上得到了很大提升。

  ● 效率提升:80%→86%

  ● 纹波下降:75mVpp→50mVpp

  ● 强带载能力:220uF→2200uF

  ● 静电性能提升:±6kV→±8kV

  2、优势对比

  表1 QA-R3G系列性能对比表

  三、产品应用

  作为IGBT/SiC MOSFET的专业驱动电源,该系列产品在应用上基本覆盖相对应的行业,包含充电桩、光伏等领域。

  QA-(T)-R3G系列应用电路图

  四、产品特点

  1、QA-R3G系列

  ● 超小型SIP封装

  ● CMTI>200kV/μs

  ● 局部放电1700V

  ● 隔离电压5000VAC(加强绝缘)

  ● 最大容性负载2200μF

  ● 超小隔离电容3.5pF(typ.)

  ● 工作温度范围:-40℃ to +105℃

  ● 可持续短路保护

  2、QA-T-R3G系列

  ● CMTI>200kV/μs

  ● 局部放电1700V

  ● 隔离电压5000VAC(加强绝缘)

  ● 最大容性负载2200μF

  ● 超小隔离电容2.5pF(typ.)

  ● 工作温度范围:-40℃ to +105℃

  ● SMD封装

  ● 效率高达86%

  ● 可持续短路保护

  五、产品选型

  表2 QA-R3G系列选型表

  表3 QA-T-R3G系列选型表

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