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IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA-(T)-R3G系列
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- 发布时间：2023-11-27 14:32
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【概要描述】基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大;对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大。
IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA-(T)-R3G系列
【概要描述】基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大;对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大。
- 分类：产品动态
- 发布时间：2023-11-27 14:32
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一、产品介绍
基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大;对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大。
金升阳致力于为客户提供更优质的电源解决方案，基于自主电路平台、IC平台、工艺平台，升级推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源QA-R3G/QAC-R3G系列产品，同时为结合充电桩市场应用需求，打造了全新的满足元器件100%国产化、高可靠的R3代驱动电源产品。
二、产品优势
1、优势特点
①高可靠隔离电压：5000VAC(加强绝缘)
R3代驱动电源产品基于自主IC设计平台，在可靠性上相较于R1代和竞品有了极大的提升，隔离电压高达5000VAC(R1产品/竞品为3750VAC)，满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。
②满足1700VDC长期绝缘要求
作为现阶段主流的半导体器件，应用电压为650V/900V/1200V/1700V;R3代驱动电源基于IEC-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压(持续放电)满足1700V，应用范围覆盖1700V及以下的IGBT器件。
③元器件100%国产化，多项性能指标提升
R3代驱动电源相较于R1代产品，在整体性能上得到了很大提升。
● 效率提升：80%→86%
● 纹波下降：75mVpp→50mVpp
● 强带载能力：220uF→2200uF
● 静电性能提升：±6kV→±8kV
2、优势对比
表1 QA-R3G系列性能对比表
三、产品应用
作为IGBT/SiC MOSFET的专业驱动电源，该系列产品在应用上基本覆盖相对应的行业，包含充电桩、光伏等领域。
QA-(T)-R3G系列应用电路图
四、产品特点
1、QA-R3G系列
● 超小型SIP封装
● CMTI>200kV/μs
● 局部放电1700V
● 隔离电压5000VAC(加强绝缘)
● 最大容性负载2200μF
● 超小隔离电容3.5pF(typ.)
● 工作温度范围：-40℃ to +105℃
● 可持续短路保护
2、QA-T-R3G系列
● CMTI>200kV/μs
● 局部放电1700V
● 隔离电压5000VAC(加强绝缘)
● 最大容性负载2200μF
● 超小隔离电容2.5pF(typ.)
● 工作温度范围：-40℃ to +105℃
● SMD封装
● 效率高达86%
● 可持续短路保护
五、产品选型
表2 QA-R3G系列选型表
表3 QA-T-R3G系列选型表
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